Sony Pregius S : capteurs industriels rétroéclairés empilés à obturateur global

[Mistral75]

Sony et Sony Semiconductor Solutions viennent d'annoncer une nouvelle série de capteurs à usage industriel (fabrication, contrôle, logistique, "usine intelligente", usine automatisée) à obturateur global mais désormais en technologie rétroéclairée empilée ("stacked BSI" au lieu de "FSI").

Sony Global - Sony Develops a Stacked CMOS Image Sensor Technology Using Sony's Proprietary Global Shutter Function with Back-Illuminated Pixel Structure to Deliver Both High Imaging Performance and Miniaturization

Un peu de vulgarisation :

"Conventional CMOS image sensors equipped with global shutter function temporarily store charge signals in the memory area located next to the photodiode to resolve image distortion (focal plane distortion) caused by the time shift due to the row-by-row readout. In front-illuminated CMOS image sensors, there is a wiring layer on the silicon substrate forming the photodiode, and with such a structure, the benefit is that it is easy to form a light shield for protecting the charge signal temporarily stored in the memory area from leaked light. For this reason, conventional CMOS image sensors with global shutter function have adopted a front-illuminated pixel structure. However, the wiring on top of the photodiode hinders the incident light, which creates an issue when attempting to miniaturize the pixels.

In response to this, Sony has developed a proprietary pixel structure that achieves the global shutter function on a back-illuminated structure that has superior sensitivity characteristics, thereby resolving the issue of miniaturization."

[Mistral75]

Les avantages :

- à sensibilité et saturation équivalente, le "pas de pixel" peut passer de 3,45 µm (FSI) à 2,74 µm (stacked BSI), ce qui, à surface de capteur identique, correspond à une multiplication par 1,6 du nombre de pixels (ou à de meilleures caractéristiques de sensibilité et de saturation à pas de pixel identique)

- le débit des données en sortie (vitesse de lecture du capteur) est multiplié par 2,4

- la structure empilée du capteur permet d'intégrer différents circuits de traitement du signal. En incorporant des fonctions d'optimisation des données qui n'extraient de l'image capturée que les informations nécessaires, il est possible de réduire la charge du traitement aval (au cas particulier de la photographie, même si ce n'est pas le champ d'utilisation de ces capteurs, on pense immédiatement à l'augmentation de la fréquence d'envoi d'images au viseur électronique, dont la résolution est bien inférieure à celle du capteur, et donc à l'augmentation de la fluidité de celui-ci)

Bien sûr, ces capteurs sont à usage industriel, pas photographique. Néanmoins, on peut imaginer que la technologie "rétroéclairé empilé à obturateur global" fera un jour son apparition dans les capteurs photographiques.

[JCCU]

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Bien sûr, ces capteurs sont à usage industriel, pas photographique. Néanmoins, on peut imaginer que la technologie "rétroéclairé empilé à obturateur global" fera un jour son apparition dans les capteurs photographiques.

Bien sur

D'ailleurs quand on voit l'exemple qu'ils prennent:  Imaging area: About 1.7 times greater (12 megapixels → 20 megapixels）, on pense à tout sauf l'A7S 3ou 4